Независимое аналитическое интернет-издание "Искра" это право на информацию.

Нет ничего ценнее во вселенной, чем мысли и чувства. © Кир Булычев

На главную страницу

Парольный вход для авторов.

автор: c до

ТРАНЗИСТОР INTEL С ТРЕХМЕРНЫМ ЗАТВОРОМ: НОВЫЙ УРОВЕНЬ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТИ И ЭКОНОМИЧНОСТИ
Автор: Станислав Власенко      Дата: 18.06.2006 22:24


     корпорация Intel объявила, что ее инженеры разработали новую технологию, которая поможет корпорации закрепить лидерство в области производства высокопроизводительных полупроводниковых компонентов с низким энергопотреблением.
     Проведенные в Intel исследования новых типов транзисторов позволили сделать еще один шаг к началу массового производства транзисторов с трехмерным затвором. Эти транзисторы отличаются значительно улучшенными показателями производительности и энергопотребления, и инженеры Intel рассчитывают, что они станут базовыми элементами будущих микропроцессоров, производимых с использованием 45-нанометровой и более совершенных производственных технологий.
     Базовыми элементами микросхем долгое время были планарные транзисторы, которые появились в конце 1950-х годов. Однако по мере развития нанотехнологий, позволяющих создавать транзисторы с элементами, толщина которых составляет всего лишь несколько атомов, то, что раньше воспринималось как «плоское», теперь разрабатывается в трех измерениях ради дальнейшего улучшения производительности и энергопотребления микросхем. Регулярно запуская в массовое производство все более совершенные процессоры, корпорация Intel разработала методику объединения новых трехмерных транзисторов с другими полупроводниковыми технологиями, которая позволит сделать вычислительные системы гораздо более производительными и экономичными.
     Вполне возможно, что транзисторы с трехмерным затвором послужат основой будущих высокопроизводительных экономичных технологий Intel, потому что они отличаются значительно меньшей утечкой и потребляют гораздо меньше энергии, чем нынешние планарные транзисторы. В сравнении с современными транзисторами, производимыми по 65-нанометровой технологии, интегрированные транзисторы с трехмерным затвором могут обеспечить 45-процентное увеличение тока возбуждения (от которого зависит быстрота переключения транзистора) или 50-кратное уменьшение запирающего тока, а также 35-процентное уменьшение тока переключения транзистора. Повышенная производительность и сниженное энергопотребление новых транзисторов позволят обеспечить новое качество работы для пользователей ПК и других устройств, созданных на базе платформ Intel.
     «Эти результаты подтверждают эффективность подхода Intel к разработке инновационных технологий, — заявил Майк Мэйберри (Mike Mayberry), вице-президент корпорации Intel и руководитель подразделения, занимающегося исследованиями компонентов. — Успешно объединив три ключевых элемента — трехмерную геометрию затвора транзистора, диэлектрики «high-k» и технологию напряженного кремния, — мы в очередной раз разработали транзистор с рекордными характеристиками. Это вселяет в нас уверенность в то, что закон Мура не утратит силу и в следующем десятилетии».
     Технический отчет об этом исследовании был представлен инженерами Intel 13 июня на симпозиуме по технологии VLSI (2006 Symposium on VLSI Technology) в Гонолулу.
     


Автор: Станислав Власенко прочтений: 1285 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 2248
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc


Этот сайт посвящен Георгию Гонгадзе, символу борьбы за свободу, журналисту, патриоту, человеку... Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором
Micronoo Links Neformat Links Noo Links Chess Links Forex Links Weapon Links

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика