Независимое аналитическое интернет-издание "Искра" это право на информацию.

Бог коварен, но незлонамерен. © Альберт Эйнштейн

На главную страницу

Парольный вход для авторов.

автор: c до

INTEL И MICRON ПРЕДСТАВИЛИ ПЕРВЫЕ В ОТРАСЛИ МОДУЛИ ФЛЭШ-ПАМЯТИ КЛАССА NAND НА БАЗЕ 50-НАНОМЕТРОВОЙ ПРОИЗВОДСТВЕННОЙ ТЕХНОЛОГИИ
Автор: Станислав Власенко      Дата: 27.07.2006 23:14


     корпорации Micron Technology и Intel объявили о выпуске первых в отрасли опытных образцов модулей флэш-памяти класса NAND на базе передовой 50-нанометровой производственной технологии, продемонстрировав свое стремление к технологическому лидерству. Эти образцы изготовлены совместным научно-производственным предприятием IM Flash Technologies, созданным корпорациями Micron и Intel. В настоящее время обе компании выпускают 4-гигабитные модули и планируют в 2007 г. наладить массовое производство модулей различной емкости на базе 50-нанометровых элементов.
     Переход к 50-нанометровой производственной технологии позволит корпорациям Intel и Micron удовлетворить растущий спрос на модули флэш-памяти класса NAND повышенной емкости, предназначенные для широкого спектра вычислительных устройств и бытовой электроники, таких как цифровые музыкальные плееры, съемные накопители и переносные коммуникационные устройства. Согласно отраслевым прогнозам, объем рынка NAND-устройств в 2006 г. оценивается в 13-16 миллиардов долларов США, а к 2010 г. этот показатель достигнет уровня 25-30 миллиардов долларов США.
     «Корпорация Micron занялась производством памяти класса NAND в 2004 г., тогда мы использовали 90-нанометровую производственную технологию. Буквально за несколько лет благодаря сотрудничеству с корпорацией Intel мы смогли наладить выпуск передовых модулей памяти на базе самой современной производственной технологии, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент корпорации Micron по выпуску модулей памяти. – Micron продолжит свои работы в области NAND: быстрый переход на 50-нанометровую производственную технологию и постоянная работа по совершенствованию элементов позволят создать модули еще более высокой емкости».
     «Наш выход на рынок флэш-памяти класса NAND был невероятно стремительным, – поделился Брайан Харрисон (Brian Harrison), вице-президент и руководитель подразделения Flash Memory Group корпорации Intel. – Мы начали поставки модулей памяти своим заказчикам в первом квартале текущего года и наблюдаем очень высокий спрос на модули флэш-памяти различной емкости. Сотрудничество с корпорацией Micron позволило нам быстро перейти к использованию 50-нанометровой производственной технологии и пойти дальше».
     В январе корпорации Micron и Intel создали компанию IM Flash Technologies (IMFT) для производства элементов флэш-памяти класса NAND. С самого начала своей деятельности предприятие IMFT интенсивно наращивает производственные мощности. В настоящее время флэш-память класса NAND для IMFT производится на заводе корпорации Micron в Бойсе, до конца года фабрика Micron в Манассасе (штат Виргиния), выпускающая продукцию на базе 300-миллиметровых подложек, также начнет поставлять элементы NAND для компании IMFT. Также ожидается, что фабрика в Леи (штат Юта), которая принадлежит компании IMFT и служит ее штаб-квартирой, сможет начать выпуск элементов NAND в начале следующего года.
     


Автор: Станислав Власенко прочтений: 1072 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 2359
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc


Этот сайт посвящен Георгию Гонгадзе, символу борьбы за свободу, журналисту, патриоту, человеку... Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором
Micronoo Links Neformat Links Noo Links Chess Links Forex Links Weapon Links

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика