Независимое аналитическое интернет-издание "Искра" это право на информацию.

Культуру надо насаждать! Даже силой... Иначе нас всех ждет крах. © Сергей Капица

На главную страницу

Парольный вход для авторов.

автор: c до

Samsung создали прототип GAAFET с техпроцессом 3 нм
Автор: Леонид Буковский      Дата: 14.01.2020 07:07


     Гонка за снижением техпроцесса доставила массу трудностей производителям чипов, и на данный момент пределом достигнутого и реализуемого в массы можно считать 7 нм. Много прогнозов от производителей уже на ближайшее будущее выглядит весьма оптимистично, к примеру, те же Qualcomm обещают выпустить свой процессор для мобильных устройств Snapdragon 875 уже на 5 нм. Многие скептики утверждают, что такой переход может занять целые годы, но в то же время компания Samsung уже создала прототип полупроводников GAAFET на 3 нм!
     
     К 2030 году компания Samsung планирует занять абсолютное лидерство в области производства полупроводников, и для этого есть все предпосылки. Ведь и сегодня компания занимает одни из ведущих позиций в производстве чипов на 7 нм техпроцессе с литографией EUV.
     
     Технология GAAFET предполагает изготовление транзисторов с круговым затвором и горизонтальным расположением каналов. Если в технологии FinFET затвор окружали каналы только с 3-х сторон, то в случае с GAAFET утечки тока существенно уменьшены благодаря использованию уже 4-х сторон. Естественно, это сильно отразится на энергоэффективности устройств.Samsung GAAFET
     
     Как видно на схеме, размеры затвора достаточно большие (по меркам нано), и в нем используется 3 листа между стоком и истоком. В целом такая схема дает очевидные преимущества в производительности над тем же FinFET, и при этом без потерь надежности.
     
     В целом же переход на такую технологию может снизить размер кристалла на 35%, примерно на столько же вырастет энергоэффективность, а по некоторым подсчетам коэффициент энергопотребления улучшится вдвое.
     
     В 2017 году представители компании заявили о намерении перехода на 4 нм техпроцесс к 2020 году, но с появлением нового 3 нм прототипа сроки будут несколько скорректированы из-за изменений в технологии, но в целом ситуация выглядит для Samsung более чем просто благоприятно. По словам экспертов массовое производство по технологии GAAFET может начаться в 2021 году.


Автор: Леонид Буковский прочтений: 35 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 30665
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc


Этот сайт посвящен Георгию Гонгадзе, символу борьбы за свободу, журналисту, патриоту, человеку... Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором
Micronoo Links Neformat Links Noo Links Chess Links Forex Links Weapon Links

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика