Независимое аналитическое интернет-издание "Искра" это право на информацию.

Итерация свойственна человеку, рекурсия божественна. © Питер Дойч

На главную страницу

Парольный вход для авторов.

автор: c до

КОМПАНИИ INTEL И MICRON НАЧАЛИ ВЫПУСК ОПЫТНЫХ ПАРТИЙ ПЕРЕДОВЫХ МНОГОУРОВНЕВЫХ МОДУЛЕЙ ФЛЭШ-ПАМЯТИ КЛАССА NAND
Автор: Станислав Власенко      Дата: 13.05.2007 23:16


     Корпорации Intel и Micron Technology, Inc. объявили о том, что их совместное предприятие IM Flash Technologies приступило к выпуску опытных партий передовых многоуровневых модулей (Multi-Level Cell, MLC) флэш-памяти класса NAND на основе 50-нанометровой производственной технологии.
     Размеры микросхемы и ячеек памяти в новых флэш-компонентах MLC NAND идеально подходят для использования в современных вычислительных и бытовых электронных устройствах, которые становятся все более компактными и эффективными. Опытные образцы микросхем, изготовленные по 50-нанометровой технологии MLC, будут иметь емкость 16 Гбит и пополнят семейство продукции на базе 50-нанометровой технологии SLC (Single-Level Cell), в которое входят модули емкостью 4 Гбит, уже поставляемые обеими компаниями.
     Новые модули MLC NAND стали результатом продуктивного сотрудничества компаний Intel и Micron на протяжении последнего года; за этот период создана сеть современных заводов по выпуску 300-миллиметровых подложек для производства флэш-памяти, кроме того, достигнуты значительные успехи в создании модулей флэш-памяти класса NAND на базе производственной технологии с проектной нормой меньше 40 нанометров.
     «Всего за один год компании Micron и Intel смогли разработать лучшую в отрасли флэш-память класса NAND на базе технологии MLC. Мы активно развивали сеть заводов, которые сегодня уже выпускают продукцию для наших заказчиков, – заявил главный директор компании Micron по операциям Марк Даркан (Mark Durcan). – Мы гордимся полученными результатами и надеемся закрепить успех в следующем году».
     «Наше совместное с компанией Micron предприятие за первый год работы достигло таких результатов в развитии передовой отраслевой архитектуры, которые превзошли все ожидания, – отметил Рэнди Вильхельм (Randy Wilhelm), вице-президент корпорации Intel и генеральный менеджер подразделения NAND Products Group. – В июле прошлого года компании Intel и Micron первыми в отрасли представили образцы модулей класса NAND на базе 50-нанометровой технологии SLC. Развитие самой передовой в отрасли архитектуры на базе 50-нанометровой технологии MLC – это еще одно доказательство плодотворности нашего сотрудничества в области разработок и производства».
     Совместное предприятие IM Flash, наряду с выпуском модулей флэш-памяти NAND на заводе корпорации Micron в г. Бойсе (шт. Айдахо) и в г. Манассас (шт. Вирджиния), с февраля приступило к производству продукции с использованием 300-миллиметровых подложек на своем заводе в г. Леи (шт. Юта). Кроме того, успешно реализуются планы по строительству нового производственного комплекса IM Flash в Сингапуре в соответствии с недавним заявлением о расширении деятельности предприятия в этой стране.
     


Автор: Станислав Власенко прочтений: 667 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 3543
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc


Этот сайт посвящен Георгию Гонгадзе, символу борьбы за свободу, журналисту, патриоту, человеку... Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором
Micronoo Links Neformat Links Noo Links Chess Links Forex Links Weapon Links

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика