Независимое аналитическое интернет-издание "Искра" это право на информацию.

Альтернатива лжи не другая ложь, другого размера и другой формы, а истина. ©

На главную страницу

Парольный вход для авторов.

автор: c до

INTEL ПЕРЕВОДИТ ПРОИЗВОДСТВО ФЛЭШ-ПАМЯТИ ТИПА NOR ДЛЯ ВСТРАИВАЕМЫХ СИСТЕМ НА 65-НАНОМЕТРОВЫЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ПРОЦЕСС
Автор: Станислав Власенко      Дата: 28.08.2007 00:37


     корпорация Intel опубликовала планы по расширению ассортимента встраиваемой флэш-памяти типа NOR за счет 65-нанометрового поколения продукции – этот шаг ориентирован на заказчиков, выпускающих интегрированные системы. По заявлению компании, переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии позволит сбалансировать соотношение между ценой и производительностью, а также продлить жизненный цикл продукции; эти факторы имеют большое значение для OEM-производителей, создающих встраиваемые решения. Начало поставок опытных партий 65-нанометровой продукции Intel, которая обычно используется в устройствах бытовой электроники, в проводном коммуникационном оборудовании и в промышленных приложениях, запланировано на первую половину 2008 г.
     «Большинство встраиваемых решений остается в производстве дольше, чем сотовые телефоны или другие устройства бытовой электроники, – говорит Глен Хоук (Glen Hawk), директор подразделения Intel Flash Products Group. – Беспроводные компоненты Intel типа NOR для беспроводных коммуникаций уже выпускаются в массовых объемах по этой передовой производственной технологии. Мы используем полученные знания и опыт для ускорения разработок и поставок своей продукции».
     Переход к использованию 65-нанометровой производственной технологии для выпуска встраиваемых компонентов позволит Intel продлить жизненный цикл своей продукции, а также расширить ее функциональные возможности и повысить экономическую эффективность. Предлагаемая Intel продукция типа NOR для сегмента встраиваемых систем включает решения с параллельной и с последовательной выборкой. Встраиваемая память Intel® StrataFlash® (P30/P33) выполнена на одной микросхеме, содержит код и данные, отличается высокой плотностью данных и производительностью, а также наименьшей стоимостью в расчете на 1 бит. Встраиваемая флэш-память Intel® Embedded Flash Memory (J3 v.D) позволяет обновлять устаревшие конструкции методом вставки (drop-in). Ее расширенные функциональные возможности обеспечивают поддержку серийных встраиваемых приложений, которым требуются соответствующие функции и масштабируемость. Флэш-память Intel® Serial Flash Memory (S33), отвечающая отраслевым стандартам, позволяет упростить конструкцию плат, экономит место на плате, имеет меньшее число выводов, более компактный корпус и применяется в широком спектре устройств, таких как телевизоры, DVD-проигрыватели, ПК, модемы и принтеры.
     


Автор: Станислав Власенко прочтений: 808 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 3741
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc


Этот сайт посвящен Георгию Гонгадзе, символу борьбы за свободу, журналисту, патриоту, человеку... Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором
Micronoo Links Neformat Links Noo Links Chess Links Forex Links Weapon Links

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика