Независимое аналитическое интернет-издание "Искра" это право на информацию.

Gens Una Sumus. (лат. "Мы все одна семья.") © лозунг FIDE

На главную страницу

Парольный вход для авторов.

автор: c до

INTEL И STMICROELECTRONICS РАЗРАБОТАЛИ ПЕРВЫЕ В ОТРАСЛИ ПРОТОТИПЫ МОДУЛЕЙ ПАМЯТИ С ФАЗОВЫМ ПЕРЕХОДОМ
Автор: Станислав Власенко      Дата: 12.02.2008 12:49


     Корпорация Intel и компания STMicroelectronics вышли на очередной важнейший этап своего сотрудничества, начав поставки опытных образцов будущей продукции на базе новейшей новаторской технологии памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory, PCM). Эти опытные образцы являются первыми рабочими микросхемами и будут переданы заказчикам для оценки и испытаний, чтобы ускорить внедрение новой технологии.
     В модуле памяти, получившем кодовое наименование Alverstone, используется новая, подающая большие надежды технология PCM, которая обеспечивает высокое быстродействие при считывании и записи данных и позволяет сократить энергопотребление по сравнению с традиционной флэш-памятью. Новая технология также допускает побитные операции, характерные для обычной оперативной памяти ПК. Память PCM долгое время была предметом обсуждений исследователей и разработчиков, поэтому, выпустив Alverstone, Intel и STMicroelectronics сделали большой шаг в продвижении этой технологии на рынок.
     «Это самое большое достижение в области энергонезависимой памяти за последние 40 лет, – уверен Эд Доуллер (Ed Doller), главный директор по технологиям Numonyx, новой совместной компании STMicroelectronics и Intel, которая будет заниматься производством флэш-памяти. – Была уже масса попыток поиска и разработки новых технологий энергонезависимой памяти, но, по сравнению с другими проектами, PCM выглядит гораздо привлекательнее, и сегодня Intel и STMicroelectronics уже представили решение на базе технологии PCM на суд пользователей. Это очень важное событие для наших компаний и для отрасли в целом».
     На прошлой неделе специалисты Intel и STMicroelectronics представили на Международной конференции по интегральным схемам (International Solid States Circuits Conference, ISSCC) научную статью с подробным описанием преимуществ технологии PCM. Компании также впервые в мире продемонстрировали рабочий образец модуля памяти высокой плотности и большого объема на базе многоуровневых ячеек (multi-level cell, MLC), изготовленный по технологии PCM. Переход от структуры памяти, предусматривающей один бит на ячейку, к MLC позволяет существенно повысить емкость памяти и уменьшить стоимость одного мегабайта, поэтому сочетание MLC и PCM сулит огромные выгоды.
     Совместная исследовательская программа Intel и STMicroelectronics по разработке памяти с фазовым переходом действует с 2003 года. Уже в 2004 году на конференции VLSI были продемонстрированы матрицы памяти объемом 8 Мбит, изготовленные по 180-нм технологии, а в 2006 году на симпозиуме VLSI был представлен 128-мегабитный модуль памяти Alverstone на базе 90-нм производственного процесса. Производством модулей Alverstone и другой совместной продукции будет заниматься новая независимая полупроводниковая компания Numonyx, соглашение о создании которой в мае 2007 года подписали STMicroelectronics, Intel и Francisco Partners. Основным направлением деятельности этой компании станет выпуск законченных решений для оснащения памятью различных бытовых и промышленных устройств, включая сотовые телефоны, MP3-плееры, цифровые камеры, компьютеры и другое высокотехнологичное оборудование. Все процедуры по созданию компании планируется завершить в первом квартале 2008 года.
     По данным аналитической компании Web-Feet Research, в 2007 году совокупный объем рынка памяти DRAM, флэш-памяти и других устройств памяти, подобных EEPROM, достиг 61 миллиарда долларов США. Себестоимость технологий производства памяти традиционно снижается в соответствии с законом Мура, который предусматривает удвоение плотности интеграции элементов микросхемы каждые 18 месяцев. В следующем десятилетии, возможно, произойдет замедление темпов роста объема и плотности модулей оперативной памяти и флэш-памяти, поэтому память PCM имеет огромные перспективы на рынке. Появление памяти PCM с многоуровневыми ячейками позволит еще больше снизить стоимость производства и использования одного бита памяти по сравнению с сегодняшними технологиями. Наконец, PCM сочетает преимущества самых разных технологий памяти: побитную запись и считывание – от DRAM, энергонезависимость - от флэш-памяти, высокую скорость считывания от NOR и записи от NAND. Поэтому эта технология может удовлетворить все рыночные потребности в памяти и стать в следующем десятилетии одной из главных движущих сил развития высоких технологий.
     Alverstone – модуль памяти объемом 128 Мбит, выпускаемый по 90-нм производственной технологии. С его помощью заказчики смогут оценить возможности технологии PCM. Производители сотовых телефонов и встраиваемых устройств узнают о преимуществах PCM и о том, как новые модули можно использовать в своих будущих разработках.
     


Автор: Станислав Власенко прочтений: 718 оценки: 0 от 0
© Свидетельство о публикации № 3871
  Цена: 1 noo



Ваши комментарии

Пароль :

Комментарий :

Осталось символов

Доступна с мобильного телефона
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь


О сервере


О проекте
Юмор
Работа
О нас

Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc


Этот сайт посвящен Георгию Гонгадзе, символу борьбы за свободу, журналисту, патриоту, человеку... Ukraine NBU Hrivnya rate
Russian ruble rate
Noo Web System



Редакция за авторские материалы ответственности не несет
стать автором
Micronoo Links Neformat Links Noo Links Chess Links Forex Links Weapon Links

Идея и разработка
компании NOO
На сайт разработчика