РЕЗЮМЕ ДОКЛАДОВ INTEL НА СИМПОЗИУМЕ «VLSI 2008» ПО ТЕХНОЛОГИЯМ И ИНТЕГРАЛЬНЫМ СХЕМАМ
Автор: Станислав Власенко Дата: 18.06.2008 18:01
На симпозиуме «VLSI 2008», который проходит с 17 по 20 июня в Гонолулу, корпорация Intel представит пять технических докладов. Ниже приводится их краткий обзор.
Доклады, запланированные на 18 июня:
Доклад 9.4: «A Scaled Floating Body Cell Memory with High-k + Metal Gate on Thin-Silicon and Thin-BOX for 15nm Node and Beyond» («Масштабированные плавающие ячейки памяти с транзисторами High-k и металлическим затвором на тонкой кремниевой подложке в корпусе Thin-BOX для изготовления 15-нанометровых и более миниатюрных узлов»)
В этом докладе сообщается об успехах Intel в изготовлении самых миниатюрных, на сегодняшний день, плоских плавающих ячеек (floating body cell, FBC) памяти с функциональными транзисторами, затвор которых имеет размер менее 30 нм. Ожидается, что благодаря FBC-элементам удастся повысить плотность ячеек памяти по сравнению со стандартной шеститранзисторной (6T) кэш-памятью, которая в настоящее время используется во всех микропроцессорах. FBC-ячейки позволят проектировщикам разместить больше битов на фиксированной площади кристалла и, тем самым, добиться ускорения вычислений. FBC-компоненты Intel по размерам на два поколения опережают все известные FBC-аналоги. Элементы с 60-нанометровыми затворами демонстрируют уже приемлемые характеристики для хранения данных в памяти, а при достигнутых размерах площадь битовой ячейки может стать меньше 0,01 кв. мкм, что позволит использовать ее в 15-нанометровых узлах. Кроме того, учитывая отличную корреляцию между реальным элементом и его моделью, можно надеяться на возможность дальнейшего масштабирования вплоть до 10-нанометровых технологических узлов.
Доклад 13.2: «45nm High-k + Metal Gate Strain-Enhanced Transistors» («45-нанометровые транзисторы с диэлектриком High-k и металлическим затвором на базе технологии напряженного кремния»)
В настоящей публикации рассказывается, как, благодаря революционным 45-нанометровым транзисторам Intel High-k + Metal Gate, изготовленным по технологическому маршруту «gate last» («затвор – в последнюю очередь») на базе уникальных n-МОП- и р-МОП-структур с использованием напряженного кремния, удалось достичь лучшей в отрасли производительности и снизить энергопотребление. Описано, каким способом экономичная операция 193-нанометровой сухой литографии была распространена на 45-нанометровые проектные нормы без введения дополнительных маскирующих слоев. С ноября прошлого года эта технология используется при массовом производстве многих видов микропроцессорной продукции Intel и обеспечивает их высокий выход.
Доклад 5.4: «PVT-Variations and Supply-Noise Tolerant 45nm Dense Cache Arrays with Diffusion-Notch-Free (DNF) 6T SRAM Cells and Dynamic Multi-Vcc Circuits» («Массивы 45-нанометровой кэш-памяти высокой емкости, устойчивые к PVT-вариациям и к шумам источника питания, с шеститранзисторными DNF-ячейками статической оперативной памяти (SRAM) и динамическими схемами, поддерживающими несколько значений напряжения питания»)
Доклад посвящен новым средствам адаптивного управления электронными схемами, которые позволяют снизить минимальное номинальное напряжение питания (Vccmin) SRAM-ячеек кэш-памяти за счет повышения их устойчивости к вариациям параметров процессов, напряжения и температуры (PVT-вариациям). Как показали измерения, проведенные в определенных режимах работы на тестовых микросхемах, изготовленных по 45-нанометровой производственной технологии, число однобитных ошибок сокращается в 26 раз. Эти схемы позволят корпорации Intel существенно повысить производительность, улучшить характеристики энергопотребления и добиться безотказной работы в будущем.
Доклад, запланированный на 19 июня:
Доклад 7.1: «Next Generation Intel® Micro-architecture (Nehalem) Clocking Architecture» («Микроархитектура Intel® следующего поколения (Nehalem), архитектура синхронизации»)
В докладе представлены микроархитектура Intel следующего поколения (Nehalem) для процессорных ядер и архитектура синхронизации ввода/вывода. Nehalem – это семейство многоядерных процессоров Intel, изготавливаемых с использованием 45-нм производственной технологии «high-k + metal-gate». Первые экземпляры микропроцессора Nehalem имеют четыре усовершенствованных ядра, «неядро» (uncore) для связи ядер с подсистемой ввода/вывода и кэш-память третьего уровня. В микроархитектуре Nehalem используется новое высокоскоростное согласованное межкомпонентное соединение типа «точка-точка» – Intel® QuickPath, обеспечивающее обмен данными между процессорами, наборами микросхем и концентраторами ввода/вывода. Кроме того, она поддерживает интегрированный контроллер, позволяющий использовать высокоскоростную многоканальную память DDR3.
Основные отличия микроархитектуры Nehalem: конфигурируемая тактовая синхронизация, ФАПЧ с быстрым захватом (fastlock) и низкой расфазировкой (low-skew), высокие эталонные тактовые частоты, аналоговая система слежения за подачей питания, адаптивная синхронизация частоты, межкомпонентное соединение Intel QuickPath с низким джиттером, интегрированный контроллер памяти с генератором тактовых импульсов и система ФАПЧ по задержке с аттенюатором джиттера.
Доклад, запланированный на 20 июня:
Доклад 17.2: «In-Situ Jitter Tolerance Measurement Technique for Serial I/O» («Методы измерения «на месте» допустимого джиттера для последовательных операций ввода/вывода»)
В данном докладе показано, как распространенные средства измерения производительности операций ввода/вывода между микросхемами, обычно доступные только в лабораторных условиях, могут быть интегрированы прямо в процессор. Благодаря этому процессоры будущего смогут проверять временные характеристики шумов (джиттер), непосредственно «на месте» – в бытовой или корпоративной среде. Такая возможность обеспечит оптимизацию временных промежутков и/или скорости передачи данных для соединения ввода/вывода, а следовательно, повышение общей производительности.
Кроме того, 17 июня представители Intel (старшие научные сотрудники, научные сотрудники и инженеры) принимают участие в трех заседаниях комиссий VLSI:
• «Ten years after – Has SOI finally arrived?» («Десять лет спустя: удалось ли, в итоге, реализовать технологию «кремний-на-изоляторе»?»)
Участник дискуссии от Intel: Марк Бор (Mark Bohr)
В дискуссии также примут участие представители компаний Infineon, IBM, SOITEC, AIST, TSMC, Toshiba, Hitachi
• «Who will keep SRAM scaling alive by 2012: Designers or Technologists?» («Кто обеспечит непрерывное масштабирование модулей SRAM до 2012 года: проектировщики или технологи?»)
Председательствуют представители Intel и NEC
Участник дискуссии от Intel: Клэр Уэбб (Claire Webb)
В дискуссии также примут участие представители компаний IBM, Texas Instruments, TSMC, Toshiba, NEC
• «Photons vs. Electrons – Which Will Win and When? (The Ongoing Race for Short-Distance High-Speed Data Connectivity)» («Фотоны или электроны – на чьей стороне и когда будет победа? (Продолжение борьбы за средства высокоскоростной передачи данных на малые расстояния)»)
Участник дискуссии от Intel: Иан Янг (Ian Young)
В дискуссии также примут участие представители Стэнфордского университета, компаний Force10 Networks, Teranetics, Fujitsu Japan, NTT Japan
|
Ваши комментарии
|
Чат
Опросы
Музыка
Треки
НеForМат
Академия
Целит
Юрпомощь
О сервере
О проекте
Юмор
Работа
О нас
Earn&Play
Для контактов
skype:noo.inc
|
